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DMP3098L-7-ES
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.2A
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- 描述
- P沟道，-30V，-4.2A，42mΩ@-10V，-0.8V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- DMP3098L-7-ES
- 商品编号
- C22379626
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031433克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@10V；49mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 510pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 47pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 54pF |
商品概述
IRF7309采用先进的沟槽技术MOSFET，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。互补MOSFET可用于逆变器及其他应用。
商品特性
- N沟道
- 漏源电压（VDS） = 30V
- 漏极电流（ID） = 7.2A（栅源电压（VGS） = 10V）
- RDS(ON) = 20mΩ（VGS = 10V）
- RDS(ON) = 30mΩ（VGS = 4.5V）
- P沟道
- 漏源电压（VDS） = 30V
- 漏极电流（ID） = -6.8A（栅源电压（VGS） = -10V）
- RDS(ON) = 36mΩ（VGS = -10V）
- RDS(ON) = 48mΩ（VGS = -4.5V）
- 100%进行了非钳位感性开关（UIS）测试
- 100%进行了栅极电阻（Rg）测试