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WGD65R550G
650V超结N沟道MOSFET
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- 描述
- 这是一款采用Cmos先进超结技术的功率MOSFET，可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过采用优化的电荷耦合技术，为线路提供更高的效率。可快速应用于新的和现有的离线电源设计中
- 品牌名称
- Wild Goose(威谷)
- 商品型号
- WGD65R550G
- 商品编号
- C22369138
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4516克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 耗散功率(Pd) | 73W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 470pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 470fF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
BSH108采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 4A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 38mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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