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WGA65R099G
650V N沟道MOSFET
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- 描述
- 这是一款采用Cmos先进超结技术的功率MOSFET，可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过采用优化的电荷耦合技术，为线路提供更高的效率。可快速应用于新的和现有的离线电源设计中
- 品牌名称
- Wild Goose(威谷)
- 商品型号
- WGA65R099G
- 商品编号
- C22369139
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.52381克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 115mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 255W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.72nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 88pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.77nF |
商品特性
- 低固有电容
- 出色的开关特性
- 扩展的安全工作区
- 无与伦比的栅极电荷:Qg = 77 nC(典型值)
- VDSS = 650 V,ID = 33 A
- RDS(on):0.115Ω(最大值)@VG = 10V
- 100%雪崩测试
- TO - 247封装
- 符合RoHS标准
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