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WGF65R125G
650V SJMOS N沟道MOSFET
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- 描述
- 这是一款采用Cmos先进超结技术的功率MOSFET，可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过采用优化的电荷耦合技术，为线路提供更高的效率。可快速应用于新的和现有的离线电源设计中
- 品牌名称
- Wild Goose(威谷)
- 商品型号
- WGF65R125G
- 商品编号
- C22369141
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.76克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 23W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 46.23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.587nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 39pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 95pF |
商品特性
- 超结技术
- 导通状态下具有更低的导通电阻与芯片面积乘积(Ron*A),提升导通效率
- 极低的品质因数(FOM),效率更高
- 超快小二极管
- 漏源极电压(VDSS)=650V,漏极电流(ID)=22A
- 栅源电压(VG)=10V时,导通电阻(RDS(on)):95 mΩ(典型值)
- TO-220F封装
- 符合RoHS标准
应用领域
- 太阳能逆变器
- 开关电源
- 高压 DC/DC 转换器
- 电池充电器
- 电机驱动器
- 脉冲功率应用