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WGF65R099G
650V N沟道MOSFET
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- 描述
- 这是一款平面MOS, 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。
- 品牌名称
- Wild Goose(威谷)
- 商品型号
- WGF65R099G
- 商品编号
- C22369140
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 耗散功率(Pd) | 26W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.8V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 57nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.04nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 130pF |
商品概述
BUK7219-55A采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V，ID = 50A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 17mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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