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IRFR220N(MS)
耐压:200V 电流:8A
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- 描述
- 场效应管@@此款消费级MOSFET采用TO-252(DPAK)封装，拥有N沟道技术，额定电压高达200V，可承载5A连续电流，广泛应用于各种电源转换、电机驱动、开关电源、逆变器、电池管理系统以及其他高效率、低功耗的开关电路中。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- IRFR220N(MS)
- 商品编号
- C22365390
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.41948克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 55W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 540pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
商品概述
IRFR220N(MS)采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = 200 V,ID = 8 A
- RDS(ON)<300 m Ω(在 VGS=10 V 时,典型值为 260 m Ω )
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻
- 全面表征雪崩电压和电流
- 低栅漏电荷,降低开关损耗
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源
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