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MS3134KDFN
耐压:20V 电流:750mA
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- 描述
- 此款消费级N沟道MOSFET采用DFN1006-3封装，表面贴装封装，尺寸紧凑且具有良好的热性能，适用于高密度PCB布局，应用于电源管理、电机驱动、LED照明、电池管理系统以及其他需要高效能、低阻抗开关功能的电路设计中。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- MS3134KDFN
- 商品编号
- C22365397
- 商品封装
- DFN1006-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.00941克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 750mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 350mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 155mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 38.2pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ | |
| 输出电容(Coss) | 14.4pF |
商品概述
CMSL008N06采用先进的超级沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 20V、750mA,VGS = 4.5V时RDS(ON) = 200mΩ
- 快速开关
- 有环保器件可选
- 具备2KV人体模型(HBM)静电放电能力
应用领域
-笔记本电脑-智能手机-电池保护-手持仪器
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