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MMBT3906LP(MS)
PNP 电流:200mA 电压:40V
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- 描述
- 此款DFN1006-3封装晶体管，卓越的性能，超小外形表面贴装封装，这样的封装有助于减小电路板空间占用，并适应高密度电子设计的需求。广泛应用于各类低功率开关电路、音频放大器、逻辑电平转换以及通用的小信号放大场合，尤其适用于需要低功耗和紧凑尺寸的应用。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- MMBT3906LP(MS)
- 商品编号
- C22365394
- 商品封装
- DFN1006-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.00967克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 200mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 300@10mA,1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 300MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV@50mA,5mA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 数量 | 1个PNP |
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