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MJD122T4G(MS)实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MJD122T4G(MS)

NPN 电流:6A 电压:100V

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描述
此款MJD122T4G,采用表面贴装TO-252(DPAK),MJD122达林顿晶体管适用于各种需要大电流驱动的应用场景,如电源开关、电机驱动、LED驱动、音频放大器以及各类功率控制电路。
品牌名称
MSKSEMI(美森科)
商品型号
MJD122T4G(MS)
商品编号
C22365380
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.42564克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录三极管(BJT)
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)6A
集射极击穿电压(Vceo)100V
耗散功率(Pd)1.25W
直流电流增益(hFE)12000@4A,4V
属性参数值
集电极截止电流(Icbo)10uA
集射极饱和电压(VCE(sat))4V@8A,80mA
工作温度-55℃~+150℃
射基极击穿电压(Vebo)5V
数量1个NPN

数据手册PDF