VND5050JTR-E
双通道高压侧驱动器
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- 描述
- 支持模拟电流感应的双通道高侧驱动器
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- VND5050JTR-E
- 商品编号
- C194749
- 商品封装
- PowerSSO-12
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率电子开关 | |
| 类型 | 高侧开关 | |
| 通道数 | 1 | |
| 输入控制逻辑 | 高电平有效 | |
| 最大连续电流 | 12A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 4.5V~36V | |
| 导通电阻 | 50mΩ | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 特性 | 过热保护(OTP);过压保护(OVP);欠压保护(UVP);过流保护(OCP) |
商品概述
VND5050K-E和VND5050J-E是采用VIPower M0-5技术制造的单片器件。它们用于驱动一侧接地的电阻性或电感性负载。有源VCC引脚电压钳位可保护器件免受低能量尖峰的影响。当STAT_DIS引脚悬空或置低时,器件可在导通和关断状态下检测开路负载情况。在关断状态下可检测输出端与VCC短路的情况。 当STAT_DIS引脚置高时,STATUS引脚处于高阻抗状态。 输出电流限制可在过载情况下保护器件。若过载持续时间较长,器件会将耗散功率限制在安全水平,直至热关断介入。具备自动重启功能的热关断可使器件在故障条件消失后立即恢复正常运行。
商品特性
- 通过功率限制实现浪涌电流主动管理
- 极低的待机电流
- 3.0 V CMOS兼容输入
- 优化的电磁辐射
- 极低的电磁敏感度
- 符合2002/95/EC欧洲指令
- 开漏状态输出
- 导通状态开路负载检测
- 关断状态开路负载检测
- 热关断指示
- 欠压关断
- 过压钳位
- 输出端固定于VCC检测
- 负载电流限制
- 快速热瞬变自限
- 接地丢失和VCC丢失保护
- 热关断
- 反接电池保护
- 静电放电保护
应用领域
- 所有类型的电阻性、电感性和电容性负载
