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G10N10A
N沟道,电流:10A,耐压:100V
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- 描述
- N沟道,100V,10A,20mΩ@10V
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G10N10A
- 商品编号
- C239040
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.202克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 104mΩ@10V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | 28W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15.5nC | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 690pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
G10N10A采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻Rdson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 出色的封装，具备良好的散热性能
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源