1个N沟道 耐压:20V 电流:4.3A
- 20+: ¥0.22138 / 个
- 200+: ¥0.18138 / 个
- 600+: ¥0.16138 / 个
- 3000+: ¥0.14138 / 个 (折合1圆盘424.14元)
- 9000+: ¥0.12938 / 个 (折合1圆盘388.14元)
- 21000+: ¥0.12338 / 个 (折合1圆盘370.14元)
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¥0.14138 / 个 (折合1圆盘424.14元) |
9000+: |
¥0.12938 / 个 (折合1圆盘388.14元) |
21000+: |
¥0.12338 / 个 (折合1圆盘370.14元) |
商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
连续漏极电流(Id) | 4.3A | |
功率(Pd) | 1W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 30mΩ@10V,2.5A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.1V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 10nC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 300pF@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |