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G2002A
N沟道,电流:2A,耐压:200V
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- 描述
- N沟道,200V,2A,580mΩ@10V
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G2002A
- 商品编号
- C239046
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 580mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC | |
| 输入电容(Ciss) | 580pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
商品概述
2002A采用先进的沟槽技术和设计，在实现极低导通电阻RDS(ON)的同时，具备较低的栅极电荷，可广泛应用于各种领域。
商品特性
- 采用高密度单元设计,实现超低导通电阻Rdson
- 对雪崩电压和电流进行了全面特性表征
- 封装散热性能出色
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源