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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MMDT5551

NPN 电流:600mA 电压:160V

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描述
三极管 高 hFE,低 VCE(sat) -160V -0.2A
商品型号
MMDT5551
商品编号
C22356947
商品封装
SOT-363​
包装方式
编带
商品毛重
0.029033克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录三极管(BJT)
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)600mA
集射极击穿电压(Vceo)160V
耗散功率(Pd)500mW
直流电流增益(hFE)300@10mA,5V
属性参数值
特征频率(fT)110MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集射极饱和电压(VCE(sat))300mV@50mA,5mA
射基极击穿电压(Vebo)6V
数量2个NPN

商品概述

SOT-363 塑封封装双 NPN 半导体三极管。 Double silicon NPN transistor in a SOT-363 Plastic Package.

商品特性

  • 击穿电压高,可与 MMDT5401 互补。
  • 无卤产品。
  • High voltage, complementary pair with MMDT5401.
  • HF Product.

应用领域

  • 用于普通高压放大。
  • General purpose high voltage amplifier.

数据手册PDF