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BRCS035N03DP

1个N沟道 耐压:30V 电流:122A

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描述
场效应管 TO-252 塑封封装 N 沟道 MOS 场效应管 负载开关应用、电池电源管理 30V 122A
商品型号
BRCS035N03DP
商品编号
C22356959
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.47376克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)122A
导通电阻(RDS(on))6.5mΩ@4.5V
属性参数值
耗散功率(Pd)88W
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
栅极电荷量(Qg)32nC@10V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品概述

TO-252 塑封封装 N 沟道MOS 场效应管。 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a TO-252 Plastic Package.

商品特性

  • 低品质因数 (FOM) Ron × Qg
  • 低输入电容 (Ciss)
  • 降低开关和传导损耗
  • 超低栅极电荷 (Qg)
  • 雪崩能量额定值 (UIS)

应用领域

  • 服务器和电信电源-开关模式电源 (SMPS)-功率因数校正电源 (PFC)-照明-高强度气体放电灯 (HID)-荧光灯镇流器照明-工业领域

数据手册PDF