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BRCS050N04BD

1个N沟道 耐压:40V 电流:196A

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描述
场效应管 TO-263 塑封封装 N 沟道场效应管适用于高效电源模块,主动式 PFC 电路和基于半桥拓扑结构 40V 196A
商品型号
BRCS050N04BD
商品编号
C22356957
商品封装
TO-263​
包装方式
编带
商品毛重
1.985125克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)196A
导通电阻(RDS(on))10mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)347W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)70nC@10V
输入电容(Ciss)2.95nF
反向传输电容(Crss)190pF
类型N沟道
输出电容(Coss)210pF

商品概述

TO-263 塑封封装N 沟道场效应管。 N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package.

商品特性

  • 低电阻
  • 开关速度快
  • 无卤产品
  • 超低导通电阻
  • 快速开关
  • 高频产品

应用领域

  • 高效电源模块
  • 主动式功率因数校正(PFC)电路
  • 基于半桥拓扑结构的电子节能灯
  • 高效开关模式电源
  • 主动式功率因数校正
  • 基于半桥拓扑结构的电子镇流器

数据手册PDF