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BRCS050N04BD
1个N沟道 耐压:40V 电流:196A
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- 描述
- 场效应管 TO-263 塑封封装 N 沟道场效应管适用于高效电源模块，主动式 PFC 电路和基于半桥拓扑结构 40V 196A
- 品牌名称
- BLUE ROCKET(蓝箭)
- 商品型号
- BRCS050N04BD
- 商品编号
- C22356957
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.985125克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 196A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 347W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.95nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 210pF |
商品概述
TO-263 塑封封装N 沟道场效应管。 N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package.
商品特性
- 双N沟道MOSFET
- 低导通电阻
- 极低的栅极阈值电压，最大1.0V
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 超小型表面贴装封装
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 静电放电（ESD）防护高达2kV
- 符合AEC-Q101高可靠性标准
应用领域
- 高效电源模块
- 主动式 PFC 电路
- 基于半桥拓扑结构的电子节能灯
- high efficient switched mode power supplies
- Active power factor correction
- electronic lamp ballast based on half bridge topology