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SM4800PRL
双N沟道,电流:6.9A,耐压:30V
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- 描述
- -
- 品牌名称
- SPS(美国源芯)
- 商品型号
- SM4800PRL
- 商品编号
- C235527
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.193克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 858pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 110pF |
商品概述
SM4800采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。这两个MOSFET构成了一个紧凑高效的开关和同步整流器组合，适用于降压转换器。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30V
- 漏极电流ID = 6.9A
- 导通电阻RDS(ON) < 27mΩ（栅源电压VGS = 10V）
- 导通电阻RDS(ON) < 32mΩ（栅源电压VGS = 4.5V）
- 导通电阻RDS(ON) < 50mΩ（栅源电压VGS = 2.5V）
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