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MC74VHC14DR2G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MC74VHC14DR2G

六路施密特触发反相器

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描述
MC74VHC14 是一款先进的高速 CMOS 施密特逆变器,采用硅门极 CMOS 工艺制造。它能实现与同等双极肖特基 TTL 相似的高速运行,同时还保持 CMOS 低功耗。引脚配置和功能与 MC74VHC04 相同,但输入存在迟滞,通过其施密特触发器功能,VHC14 可用作线路接收器,接收缓慢的输入信号。该内部电路由三级组成,包括一个提供高抗扰性和稳定输出的缓冲器输出。输入耐压达 7V,支持 5V 系统到 3V 系统的接口。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
MC74VHC14DR2G
商品编号
C233550
商品封装
SOIC-14​
包装方式
编带
商品毛重
0.36克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录反相器
输入类型施密特触发器
工作电压2V~5.5V
静态电流(Iq)2uA
通道数6
输入数1
灌电流(IOL)8mA
属性参数值
拉电流(IOH)8mA
输入高电平(VIH)2.2V~3.85V
输入低电平(VIL)900mV~1.65V
传播延迟(tpd)10.6ns@5V,50pF
系列74VHC系列
工作温度-55℃~+125℃

商品概述

MC74VHC14是一种采用硅栅CMOS技术制造的高速CMOS施密特反相器。它实现了与等效双极肖特基TTL相似的高速操作,同时保持了CMOS的低功耗特性。引脚配置和功能与MC74VHC04相同,但输入端具有滞后特性,并且由于其施密特触发器功能,VHC14可以用作线路接收器,能够接收慢速输入信号。内部电路由三个阶段组成,包括一个提供高噪声抗扰度和稳定输出的缓冲输出。输入端可承受高达7.0V的电压,允许5.0V系统与3.0V系统之间的接口。

商品特性

  • 高速:tpD = 5.5 ns(典型值)在 VCC = 5.0 V
  • 低功耗:ICC = 2.0 μA(最大值)在 TA = 25℃
  • 高抗噪性:VNIH = VNIL = 28
  • 输入端提供掉电保护
  • 平衡的传输延迟
  • 设计工作电压范围为 2.0 V 至 5.5 V
  • 低噪声:VOLP = 0.8 V(最大值)
  • 引脚和功能与其他标准逻辑系列兼容
  • 锁存性能超过 300 mA
  • ESD 性能:人体模型 > 2000 V;机器模型 > 200 V
  • 芯片复杂度:60 个 FET 或 15 个等效门
  • NLV 前缀适用于汽车及其他需要独特现场和控制变更要求的应用;符合 AEC-Q100 标准并具备 PPAP 能力
  • 这些器件无铅且符合 RoHS 标准

数据手册PDF

优惠活动

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(2500个/圆盘,最小起订量 5 个)
起订量:5 个2500个/圆盘

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