DTC123JET1G
耐压:50V 电流:100mA
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描述
此系列数字晶体管用于替代单器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管,搭载一个由两个电阻组成的单片偏置网络;一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中,因此不再需要这些外部组件。采用 BRT 既可以降低系统成本,又可以节省在板空间。
- 品牌名称onsemi(安森美)
商品型号
DTC123JET1G商品编号
C232547商品封装
SC-75(SOT-523)包装方式
编带
商品毛重
0.027克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 数字晶体管 | |
晶体管类型 | - | |
集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
集电极电流(Ic) | 100mA | |
功率(Pd) | 200mW | |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 80@5.0mA,10V |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo) | 1.1V@5.0mA,0.3V | |
最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc) | 600mV@100uA,5.0V | |
输出电压(VO(on)@Io/Ii) | 200mV | |
输入电阻 | 2.2kΩ | |
电阻比率 | 0.047 | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
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