MUN5313DW1T1G
MUN5313DW1T1G
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描述
该系列数字晶体管用于替代单个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络:一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些独立组件集成到了单个器件中,因此不再需要这些单独组件。采用 BRT 既可以降低系统成本,又可以节省板空间。
- 品牌名称onsemi(安森美)
商品型号
MUN5313DW1T1G商品编号
C232617商品封装
SOT-363包装方式
编带
商品毛重
0.029克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 数字晶体管 | |
晶体管类型 | - | |
集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
集电极电流(Ic) | 100mA | |
耗散功率(Pd) | 187mW | |
直流电流增益(hFE) | 80@5.0mA,10V |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
最小输入电压(VI(on)) | 1.9V@3.0mA,0.2V | |
最大输入电压(VI(off)) | 1.2V@100uA,5.0V | |
输出电压(VO(on)) | 200mV | |
输入电阻 | 47kΩ | |
电阻比率 | 1 | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
梯度价格
梯度
售价
折合1圆盘
3000+¥0.267291¥801.87
库存总量
(单位:个)交货周期
订货10-18个工作日购买数量(3000个/圆盘,最小起订量 5267 个 )
个
起订量:5267 个3000个/圆盘
近期成交0单
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