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CB2301DW
SOT-363 封装，双 P 沟道塑料封装 MOSFET
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- 描述
- 电流:2.1A 电压:20V
- 品牌名称
- CBI(创基)
- 商品型号
- CB2301DW
- 商品编号
- C21714276
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0292克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 低导通电阻
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 无铅设计/符合RoHS标准
- 静电放电（ESD）保护高达2kV