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MMUN5235DW
双偏置电阻晶体管，带单片偏置电阻网络的NPN硅表面贴装晶体管
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- 描述
- BRT（偏置电阻晶体管）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管，即串联基极电阻和基极-发射极电阻。这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT通过将这些单独的组件集成到单个器件中来消除它们。SOT-363封装适用于对电路板空间要求较高的低功率表面贴装应用。
- 品牌名称
- CBI(创基)
- 商品型号
- MMUN5235DW
- 商品编号
- C21714287
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0288克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 2个NPN-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 385mW | |
| 晶体管类型 | NPN |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 80 | |
| 输出电压(VO(on)) | 200mV | |
| 输入电阻 | 2.86kΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 250mV | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA |
商品概述
BRT（偏置电阻晶体管）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管；一个串联基极电阻和一个基极 - 发射极电阻。这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT 通过将这些单独的组件集成到单个器件中，消除了这些组件。在MMUN5211 DW系列中，两个BRT器件封装在SOT - 363封装中，这对于电路板空间有限的低功耗表面贴装应用非常理想。
商品特性
-简化电路设计-减少电路板空间-减少元件数量-我们声明产品材料符合RoHS要求。