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BC1012T
N沟道 耐压:20V 电流:0.63A
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- 描述
- 电流:0.63A 电压:20V
- 品牌名称
- CBI(创基)
- 商品型号
- BC1012T
- 商品编号
- C21714106
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0243克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 630mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 500mΩ@2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 280mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
100N03NF是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 100N03NF符合RoHS和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，具备完整的功能可靠性认证。 超低栅极电荷 100%雪崩能量耐量（EAS）保证 提供绿色环保器件 出色的CdV/dt效应抑制 先进的高单元密度沟槽技术
商品特性
- 低导通电阻
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 设计无铅/符合 RoHS 标准
- 静电放电 (ESD) 防护高达 2kV