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BC2302W
N沟道，20V（D-S）MOSFET
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- 描述
- 电流:2.1A 电压:20V
- 品牌名称
- CBI(创基)
- 商品型号
- BC2302W
- 商品编号
- C21714188
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028833克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 300pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品特性
- 表面贴装封装
- 采用高密度单元设计，实现极低的导通电阻RDS(ON)
- 电压控制小信号开关
- 坚固可靠
应用领域
- 小型伺服电机控制
- 功率MOSFET栅极驱动器
- 开关应用