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BC2301W
P沟道，20 V（D-S）MOSFET
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- 描述
- 电流:2.1A 电压:20
- 品牌名称
- CBI(创基)
- 商品型号
- BC2301W
- 商品编号
- C21714133
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028933克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 405pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 75pF |
商品概述
150N03NF是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 150N03NF符合RoHS和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试保证，具备完整功能可靠性认证。 超低栅极电荷 100%雪崩能量耐量（EAS）保证 提供绿色环保器件 出色的CdV/dt效应抑制能力 先进的高单元密度沟槽工艺技术
商品特性
- 沟槽场效应晶体管功率MOSFET
应用领域
- 便携式设备负载开关
- DC/DC转换器