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NCE20P70G
1个P沟道 耐压:20V 电流:70A
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- 描述
- NCE20P70G采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)，适用于多种应用场景。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE20P70G
- 商品编号
- C193355
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 130W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 100nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.95nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 290pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 380pF |
商品概述
这些微型表面贴装MOSFET的低导通电阻RDS(on)可确保功率损耗最小化并节约能源，使这些器件非常适合用于对空间要求较高的电源管理电路。
商品特性
- 漏源电压VDS = -20 V,漏极电流ID = -70 A
- 当栅源电压VGS = -4.5 V时,导通电阻RDS(ON) < 3 m Ω
- 当栅源电压VGS = -2.5 V时,导通电阻RDS(ON) < 4 m Ω
- 当栅源电压VGS = -1.8 V时,导通电阻RDS(ON) < 8 m Ω
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 具有高单脉冲雪崩能量EAS,稳定性和一致性良好
- 采用散热性能良好的封装
应用领域
-负载开关-电池保护
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