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NCE0140KA

1个N沟道 耐压:100V 电流:40A

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描述
N沟道,100V,40A,12mΩ@10V
商品型号
NCE0140KA
商品编号
C194346
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.547克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)40A
导通电阻(RDS(on))18mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)140W
阈值电压(Vgs(th))1.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)94nC@10V
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)-

商品概述

SM4411采用先进的沟槽技术,可提供出色的漏源导通电阻(RDS(ON))和超低的栅极电荷。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。

商品特性

  • 漏源电压(VDS) = -30V
  • 漏极电流(ID) = -8A(栅源电压(VGS) = -10V)
  • 漏源导通电阻(RDS(ON)) < 35mΩ(栅源电压(VGS) = -10V)
  • 漏源导通电阻(RDS(ON)) < 58mΩ(栅源电压(VGS) = -4.5V)
  • SOIC - 8封装

数据手册PDF