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NCE20P45Q
1个P沟道 耐压:19V 电流:45A
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- 描述
- P沟道,-19V,-45A,7mΩ@-4.5V
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE20P45Q
- 商品编号
- C193354
- 商品封装
- DFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.114克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 19V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@4.5V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 80W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.5nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 445pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
NCE20P45Q采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)，适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = -19V，漏极电流ID = -45A
- 当栅源电压VGS = -4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 7mΩ
- 当栅源电压VGS = -2.5V时，导通电阻RDS(ON) < 9mΩ
- 当栅源电压VGS = -1.8V时，导通电阻RDS(ON) < 12mΩ
- 采用高密度单元设计，实现极低的导通电阻Rdson
- 具备完整的雪崩电压和电流特性
- 高单脉冲雪崩能量EAS，稳定性和一致性良好
- 采用散热性能出色的封装
应用领域
- 负载开关
- 电池保护