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ZABG4003JA16TC
停产 ZABG4003JA16TC
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- 描述
- 该系列设备旨在以最少的外部组件满足卫星接收器LNB中常用的GaAs和HEMT FET的偏置要求，同时在最小电压电源下运行并使用最小电流。有四个FET偏置级，可通过连接到R(CAL1)和R(CAL2)引脚的电阻进行编程，以提供恒定漏极电流，允许输入FET偏置以实现最佳噪声，放大器FET偏置以实现最佳增益。放大器FET可以在4至15mA的电流范围内工作。放大器级的漏极电压设置为2.0V，并通过相关的R(CAL)电阻将电流限制在大约设定值。包括一个集成的开关电容DC-DC转换器，可产生-2V的稳压输出，以实现单电源操作。设计用于2.1V至5.0V的电源轨，V(DD)范围扩展到5.5V，以允许10%的电源变化
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZABG4003JA16TC
- 商品编号
- C2155914
- 商品封装
- QFN-16-EP(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
ZABG系列器件旨在以最少的外部元件满足卫星接收机低噪声下变频器（LNB）中常用的砷化镓（GaAs）和高电子迁移率晶体管（HEMT）场效应管（FET）的偏置要求，同时在最低电压电源下工作并消耗最小电流。 ZABG4003有四个场效应管偏置级，可进行编程以提供恒定的漏极电流。通过连接到RCAL1和RCAL2引脚的电阻对场效应管偏置级配置和每个场效应管组的工作电流进行编程，使输入场效应管获得最佳噪声偏置，放大场效应管获得最佳增益。放大场效应管的工作电流范围为4至15mA。ZABG4003上的D1和D3可通过RcAL1在4至15mA范围内编程，D2和D4则通过RCAL2编程。 耗尽型场效应管在源极接地电路中工作时需要负电压偏置电源。ZABG4003包含一个集成的开关电容式直流-直流转换器，可产生-2V的稳压输出，以实现单电源供电。ZABG4003设计用于2.1V至5.0V的电源轨，VDD范围扩展至5.5V，以允许10%的电源变化。 可以不使用全部的场效应管偏置控制，未使用的漏极和栅极连接可以开路，而不会影响其余偏置电路的工作。 为保护外部场效应管，电路设计确保在任何条件下，包括电源上下电瞬态，偏置电路的栅极驱动电压不会超过-2.5V。此外，每个级都有自己独立的电流限制器。此外，如果负电源轨出现故障，如过载或短路，场效应管的漏极电源将受到限制，避免过大电流。 ZABG4003采用16引脚U-QFN3030-16（B型）封装。 器件工作温度范围为-40℃至+105℃，适用于各种环境条件。
商品特性
- 为多达4个砷化镓和高电子迁移率晶体管场效应管提供偏置，工作范围2.1V至5V
- 超低工作电流0.95mA
- 动态场效应管保护
- 放大场效应管漏极电流可选（4mA至15mA）
- 稳压负电源轨发生器仅需1个外部电容
- 扩展温度范围-40℃至+105℃
- U-QFN3030-16（B型）表面贴装封装
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
应用领域
- 低功耗低噪声下变频器
- 数字低噪声下变频器
- IP低噪声下变频器
- 双路和四路低噪声下变频器
- 通用低噪声放大器偏置