TPS22922BYFPR

TPS22921、TPS22922 和 TPS22922B 是小型低导通电阻负载开关，具有受控的开启特性。这些器件包含一个可以在0.9V至3.6V输入电压范围内工作的P沟道MOSFET。开关由一个开/关输入（ON）控制，可以直接与低压控制信号接口。在TPS22922和TPS22922B中，添加了一个65欧姆的片上负载电阻，用于在开关关闭时快速放电输出。为了防止浪涌电流，这些器件的上升时间（slew rate）是内部控制的：TPS22921和TPS22922的上升时间为30微秒，而TPS22922B为200微秒。

这些器件具有低静态电流和关断电流，并采用节省空间的6引脚晶圆级芯片规模封装DSBGA（WCSP：YZP和YZT间距为0.5毫米，YFP间距为0.4毫米），使其非常适合便携式电子产品。这些器件的工作环境温度范围为-40°C至85°C。

• 集成P-Channel负载开关
• 输入电压：0.9 V至3.6 V
• 导通电阻（典型值）：
  • rON = 14 mΩ at VIN = 3.6 V
  • rON = 20 mΩ at VIN = 2.5 V
  • rON = 33 mΩ at VIN = 1.8 V
  • rON = 67 mΩ at VIN = 1.2 V
  • rON = 116 mΩ at VIN = 1.0 V
• 最大连续开关电流：2 A
• 静态电流：
  • 典型78 nA at 1.8 V
• 关断电流：
  • 典型35 nA at 1.8 V
• 低阈值控制输入，支持1.2 V, 1.8 V, 2.5 V或3.3 V逻辑
• 受控上升时间以避免涌入电流：
  • tR = 30 μs at VIN = 1.8 V (TPS22921/2)
  • tR = 200 μs at VIN = 1.8 V (TPS22922B)
• 快速输出放电 (TPS22922/2B)
• ESD性能测试：
  • 3000-V人体模型 (A114-B, Class II)
  • 1000-V带电设备模型 (C101)
• 六引脚晶圆级芯片尺寸DSBGA封装：
  • 0.9 mm x 1.4 mm, 0.5 mm间距, 0.5 mm高度 (YZP)
  • 0.9 mm x 1.4 mm, 0.5 mm间距, 0.625 mm高度 (YZT)
  • 0.8 mm x 1.2 mm, 0.4 mm间距, 0.5 mm高度 (YFP)

• PDA
• 手机
• GPS 设备
• MP3 播放器
• 外设端口
• 移动媒体播放器
• 射频模块