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HD100N02
1个N沟道 耐压:20V 电流:100A
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- 品牌名称
- HL(豪林)
- 商品型号
- HD100N02
- 商品编号
- C2149763
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.441克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 87W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 265pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
HP120N04是一款专为大电流开关应用设计的N沟道MOS场效应晶体管。其坚固的EAS能力和极低的漏源导通电阻适用于PWM、负载开关。
商品特性
- VDS = 20 V, ID = 100 A
- R D S (O N) < 5. 5 m Ω @ V G S = 4. 5 V
- R D S (O N) < 9 m Ω @ V G S = 2. 5 V
- 高功率和电流处理能力
- 提供无铅产品
- 表面贴装封装
应用领域
-电池保护-负载开关-电源管理