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HD60P03
1个P沟道 耐压:30V 电流:50A
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- 品牌名称
- HL(豪林)
- 商品型号
- HD60P03
- 商品编号
- C2149762
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 108pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
HD100N02采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于多种应用。
商品特性
- VDS = -30V,ID = -20A
- RDS(ON) < 30 m Ω @ VGS = -4.5 V
- RDS(ON) < 17 m Ω @ VGS = -10 V
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
-电池开关-负载开关-电源管理
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