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NTB25P06T4G
1个P沟道 耐压:60V 电流:27.5A
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- 描述
- 此功率 MOSFET 适用于承受雪崩和换相模式下的高能量。此类器件针对电源、转换器和电源电机控制中的低压、高速开关应用而设计，尤其适用于二极管速度和换相安全运行区域非常关键的桥式电路，可针对非预期的瞬时电压提供附加安全裕度。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTB25P06T4G
- 商品编号
- C223555
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.728克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 27.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 82mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 120W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.68nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 480pF |
商品概述
专为低电压、高速开关应用而设计，能够承受雪崩和换向模式下的高能量。
商品特性
- AEC Q101认证 - NVB25P06
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- PWM电机控制-电源-转换器-桥接电路