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FDMS6681Z
1个P沟道 耐压:30V 电流:21.1A
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- 描述
- P沟道,-30V,-122A,3.2mΩ@-10V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS6681Z
- 商品编号
- C192686
- 商品封装
- Power56-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.206克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 21.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.2mΩ@10V,22.1A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 97nC@5V；172nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.803nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.345nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.54nF |
商品概述
FDMS6681Z旨在最大程度降低负载开关应用中的损耗。结合了硅技术和封装技术的先进成果，以提供最低的导通电阻rDS(on)和静电放电（ESD）保护。
商品特性
- 在VGS = -10 V、ID = -21.1 A时，最大导通电阻rDS(on) = 3.2 mΩ
- 在VGS = -4.5 V、ID = -15.7 A时，最大导通电阻rDS(on) = 5.0 mΩ
- 采用先进的封装和硅技术组合，实现低导通电阻rDS(on)
- 典型人体模型（HBM）静电放电保护等级为8 kV
- 采用MSL1可靠封装设计
- 符合RoHS标准
应用领域
- 笔记本电脑和服务器中的负载开关
- 笔记本电脑电池组电源管理
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