IL710-2E
高速数字隔离器
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- 描述
- 采用专利 IsoLoop 自旋电子巨磁阻(GMR)技术制造的 CMOS 器件。独特的陶瓷/聚合物复合屏障提供出色的隔离和几乎无限的屏障寿命。对称磁耦合屏障的典型传播延迟仅为 10 ns,脉冲宽度失真低至 300 ps(0.3 ns),实现了任何隔离器的最佳规格。典型瞬态抗扰度为 50 kV/ps,无与伦比
- 品牌名称
- NVE
- 商品型号
- IL710-2E
- 商品编号
- C224288
- 商品封装
- PDIP-8
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.029克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字隔离器 | |
| 正向通道数 | 1 | |
| 反向通道数 | 0 | |
| 最大数据速率 | 110Mbps | |
| 隔离电压(Vrms) | 2500 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| CMTI(kV/us) | 50kV/us | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 工作电压(VCCA) | 3V~5.5V | |
| 工作电压(VCCB) | 3V~5.5V | |
| 传播延迟(tpd) | 12ns |
商品概述
NVE的IL700系列高速数字隔离器是采用NVE获得专利的IsoLoop自旋电子巨磁阻(GMR)技术制造的CMOS器件。 独特的陶瓷/聚合物复合隔离层提供了出色的隔离性能和几乎无限的隔离层使用寿命。 对称磁耦合隔离层的典型传播延迟仅为10 ns,脉冲宽度失真低至300 ps(0.3 ns),达到了所有隔离器中的最佳规格。典型的50 kV/μs瞬态抗扰度无与伦比。IL710非常适合用于PROFIBUS、RS - 485和RS - 422等隔离应用。 IL710有8引脚MSOP、SOIC和PDIP封装可供选择。 IL710S是同类型中速度最快的隔离器,典型数据速率为150 Mbps。标准级和S级器件的工作温度范围为 - 40℃至 + 100℃。T级器件的工作温度范围为 - 40℃至 + 125℃。MSOP V系列版本在超小型封装中提供完整的2500 VRMS隔离。
商品特性
- 高速:典型值150 Mbps(IL710S)
- 2500 VRMS隔离电压
- 每VDE V 0884 - 10标准600 VRMS工作电压
- 典型50 kV/μs;最小30 kV/μs共模瞬态抗扰度
- 无载波或时钟,低EMI辐射和敏感度
- 典型每通道1.2 mA静态电流
- 典型脉冲宽度失真300 ps(IL710S)
- 100 ps脉冲抖动
- 2 ns通道间偏斜
- 典型传播延迟10 ns
- 隔离层使用寿命44000年
- 出色的抗磁干扰能力
- 通过VDE V 0884 - 10认证;获得UL 1577认可
- 8引脚MSOP、SOIC和PDIP封装
应用领域
- 数字现场总线
- RS - 485和RS - 422
- 接地环路消除
- 外设接口
- 串行通信
- 逻辑电平转换
- IEC 61010 - 1第3版涵盖的设备
- 5 kVRMS额定的IEC 60601 - 1医疗应用
优惠活动
购买数量
(50个/管,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个50个/管
总价金额:
¥ 0.00近期成交0单
