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TP2104K1-G
1个P沟道 耐压:40V 电流:160mA
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- TP2104K1-G
- 商品编号
- C220621
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- -
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 160mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 360mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@1.0mA | |
| 输入电容(Ciss) | 60pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 30pF |
交货周期
订货9-11个工作日购买数量
(3000个/卷，最小起订量 10000 个)个
起订量：10000 个3000个/卷
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单