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MG150HF12TFC2
1.2kV 150A
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- 描述
- 特性：低Vce(sat)，采用沟槽技术。 低开关损耗，特别是Eoff。 Vce(sat)具有正温度系数。 高短路能力（10us）。 包含超快速和软恢复反并联FWD。 低电感封装。应用：运动/伺服控制。 高频开关应用
- 品牌名称
- YANGJIE(扬杰)
- 商品型号
- MG150HF12TFC2
- 商品编号
- C20601999
- 商品封装
- C2
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 310.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 150A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.15kW | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 300A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.1V@150A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V@4mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.56uC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 11nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 325ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 350ns | |
| 导通损耗(Eon) | 11.6mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 6.8mJ | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | 0.5nF |
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