- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MG200HF12TFC2
符合RoHS标准的IGBT模块，具备低饱和电压、低开关损耗等特性
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- 品牌名称
- YANGJIE(扬杰)
- 商品型号
- MG200HF12TFC2
- 商品编号
- C20602001
- 商品封装
- C2
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 366.666667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25kW | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 200A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 400A | |
| 集电极截止电流(Ices) | 1mA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.1V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.2uC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 12.8nF | |
| 输出电容(Coes) | - | |
| 反向传输电容(Cres) | 500pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 290ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 330ns | |
| 导通损耗(Eon) | 12.4mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 9.4mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品特性
- 采用沟槽技术实现低Vce(sat)
- 尤其是关断损耗Eoff较低
- Vce(sat)具有正温度系数
- 具备高短路能力（10微秒）
- 包含超快速软恢复反并联续流二极管
- 封装电感低
- 最高结温175℃
应用领域
- 运动/伺服控制
- 高频开关应用
- 不间断电源（UPS）
- 焊接机