- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
参数完善中
商品概述
-沟槽功率中压MOSFET技术-电压控制小信号开关-低输入电容-快速开关速度-低输入/输出泄漏电流
商品特性
- 静电放电(ESD)保护能力高达2.0 kV(人体模型,HBM)
应用领域
- 电池供电系统
- 固态继电器
- 直接逻辑电平接口:TTL/CMOS
- 12V、24V汽车系统
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参数完善中
-沟槽功率中压MOSFET技术-电压控制小信号开关-低输入电容-快速开关速度-低输入/输出泄漏电流