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IS42S32200E-5TL-TR

64Mb同步动态随机存取存储器

品牌名称: ISSI(美国芯成)
商品型号: IS42S32200E-5TL-TR
商品编号: C20590955
商品封装: 86-TSOP II
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	同步动态随机存取内存(SDRAM)
	存储容量	64Mbit
	时钟频率(fc)	200MHz

	属性	参数值
	工作电压	3.3V
	功能特性	自动预充电；自动刷新；高速时钟同步；自动列地址生成
	工作温度	-40℃~+105℃

商品概述

ISSI的64Mb同步DRAM IS42/45S32200E被组织为524,288位x 32位x 4存储体，以提高性能。同步DRAM使用流水线架构实现高速数据传输。所有输入和输出信号都参考时钟输入的上升沿。64Mb SDRAM是一种高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V内存系统，包含67,108,864位。内部配置为具有同步接口的四存储体DRAM。每个16,777,216位存储体被组织为2,048行x 256列x 32位。该64Mb SDRAM包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的正边沿进行寄存。所有输入和输出都与LVTTL兼容。64Mb SDRAM能够以高数据速率同步突发数据，并自动生成列地址，能够在内部存储体之间交错以隐藏预充电时间，并且能够在突发访问期间的每个时钟周期随机更改列地址。当启用自动预充电功能时，可在突发序列结束时启动自定时行预充电。在访问其他三个存储体之一时对一个存储体进行预充电将隐藏预充电周期，并提供无缝、高速、随机访问操作。SDRAM的读写访问是面向突发的，从选定位置开始，并按照编程序列在编程的位置数量上继续。激活命令的寄存开始访问，随后是读或写命令。激活命令与寄存的地址位一起用于选择要访问的存储体和行（BA0、BA1选择存储体；A0 - A10选择行）。读或写命令与寄存的地址位一起用于选择突发访问的起始列位置。可编程的读或写突发长度包括1、2、4和8个位置或整页，并具有突发终止选项。

商品特性

时钟频率：200、166、143、133 MHz
完全同步；所有信号参考正时钟边沿
用于隐藏行访问/预充电的内部存储体
单3.3V电源
LVTTL接口
可编程突发长度：(1、2、4、8、整页)
可编程突发序列：顺序/交错
自刷新模式
每16ms（A2级）或64ms（商业、工业、A1级）进行4096次刷新周期
每个时钟周期随机列地址
可编程CAS延迟（2、3个时钟）
突发读/写和突发读/单写操作能力
通过突发停止和预充电命令终止突发

数据手册PDF

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