IS42S32160B-75TLI-TR
512Mb SDR同步动态随机存取存储器
- 品牌名称
- ISSI(美国芯成)
- 商品型号
- IS42S32160B-75TLI-TR
- 商品编号
- C20591558
- 商品封装
- 86-TSOP II
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 同步动态随机存取内存(SDRAM) | |
| 存储容量 | 512Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 133MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 3V~3.6V | |
| 功能特性 | 自动预充电;自动刷新;高速时钟同步 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
ISSI IS42S32160B是一款高速CMOS器件,配置为具有同步接口的四路4M x 32 DRAM(所有信号在时钟信号CLK的上升沿进行寄存)。4M x 32位的每个存储体被组织为8192行、512列和32位。读写访问从编程序列中的选定位置开始。访问从BankActive命令的寄存开始,随后是读或写命令。ISSI IS42S32160B提供可编程的读或写突发长度,分别为1、2、4、8或整页,并具有突发终止操作。可以启用自动预充电功能,以在突发序列结束时启动自定时行预充电。自动刷新或自刷新功能易于使用。通过可编程模式寄存器,系统可以选择最合适的模式以最大化其性能。这些器件非常适合需要高内存带宽的应用。
商品特性
- 并发自动预充电
- 时钟频率:143、133 MHz
- 完全同步操作
- 内部流水线架构
- 四个内部存储体(4M x 32位 x 4存储体)
- 可编程模式
- CAS#延迟:2或3
- 突发长度:1、2、4、8或整页
- 突发类型:交错或线性突发
- 突发停止功能
- 由DQM0 - 3单独控制字节
- 自动刷新和自刷新
- 8K刷新周期/64ms(15.6μs/行)
- 单 +3.3V ± 0.3V电源
- 接口:LVTTL
应用领域
- 高内存带宽应用
- IS42S32160B-75TLI
- FCQ38999/26ME99PEMIL-STD-461
- FCQ38999/20TJ24PBMIL-STD-461
- GTC08-32-15S-RDS-LC
- FCQ38999/25YG75PEMIL-STD-461
- FCQ38999/24KC35PDMIL-STD-461
- GTC06R28-51SY-025-LC
- ACC04A24-A35S-025-LC
- FCQ38999/20K37ACMIL-STD-461
- FCQ38999/23NJ19PDMIL-STD-461
- ACC02E24-16S-003-LC
- CH-V09-301-Q(F)
- FCQ38999/20KJ7BEMIL-STD-461
- LC-07-530-Q
- FCQ38999/26ZD5ABMIL-STD-461
- FCQ38999/24JF11SAMIL-STD-461
- GTC06-32-52S-025-LC
- FCQ38999/20GE6AEMIL-STD-461
- FCQ38999/26GF35PNMIL-STD-461
- FCQ38999/21YJ29PAMIL-STD-461
- FCQ38999/20JJ7AAMIL-STD-461

