IS42RM16800G-75BLI
2Mx16BitsX4Banks移动同步DRAM
- 品牌名称
- ISSI(美国芯成)
- 商品型号
- IS42RM16800G-75BLI
- 商品编号
- C20594179
- 商品封装
- 54-TFBGA (8x8)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 同步动态随机存取内存(SDRAM) | |
| 存储容量 | 128Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 133MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 2.5V | |
| 功能特性 | 自动预充电;自动刷新;高速时钟同步 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
IS42/45SM/RM/VM16800G是移动134,217,728位CMOS同步DRAM,组织为4个存储体,每个存储体有2,097,152字×16位。这些产品提供完全同步操作,并以时钟的正沿为参考。所有输入和输出都与时钟输入的上升沿同步。数据路径采用内部流水线设计以实现高带宽。所有输入和输出电压电平都与LVCMOS兼容。
商品特性
- JEDEC标准3.3V、2.5V、1.8V电源
- 自动刷新和自刷新
- 所有引脚与LVCMOS接口兼容
- 4K刷新周期/64ms
- 可编程突发长度和突发类型(顺序突发为1、2、4、8或整页;交错突发为4或8)
- 可编程CAS延迟:2、3个时钟周期
- 所有输入和输出以系统时钟的正沿为参考,通过DQM实现数据掩码功能
- 内部4个存储体操作
- 突发读取单写入操作
- 特殊功能支持(PASR部分阵列自刷新、Auto TCSR温度补偿自刷新、可编程驱动器强度控制,强度为全强度或1/2、1/4、1/8全强度)
- 深度掉电模式
- 自动预充电,包括并发自动预充电模式和受控预充电
- IS42S16160B-6B
- 1934221-1
- ACC01CF24-5S-025-LC
- GTC01A18-6S-B30-LC
- GTC030CFZ24-AJPW-025-B30-LC
- ACC05A14S-7P-023-B30-LC
- GTC06AF28-79SX-025-LC
- FCQ38999/20JE8BBMIL-STD-461
- FCQ38999/24FJ4SNMIL-STD-461
- GTC08-32-6PY-025-B30-LC
- FCQ38999/20SE8PBMIL-STD-461
- FCQ38999/23YF28PDMIL-STD-461
- GTCL00-28-15PX-B30-LC
- FCQ38999/24ZE26SNMIL-STD-461
- GTC00-28-79SX-RDS-LC
- CAT24C04YI-GT3JN
- FCQ38999/24LJ7ABMIL-STD-461
- 1-2296205-0
- ACC06E18-19S-025-B30-LC
- FCQ38999/20JJ11SAMIL-STD-461
- FCQ38999/26LH35SDMIL-STD-461
