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MT29F16G08ABACAWP-AAT:C引脚图
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  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MT29F16G08ABACAWP-AAT:C

16Gb、32Gb、64Gb异步/同步NAND闪存

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描述
Micron 16Gb Asynchronous/Synchronous NAND Flash Memory 设备支持异步和同步接口,用于高性能 I/O 操作。该设备使用高度复用的 8 位总线 (DQx) 转发命令、地址和数据。有五个控制信号用于实现异步数据接口:CE#、CLE、ALE、WE# 和 RE#。同步接口包括数据同步参考 (DQS)。
品牌名称
micron(镁光)
商品型号
MT29F16G08ABACAWP-AAT:C
商品编号
C20540670
商品封装
48-TSOP I​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录NAND FLASH
存储容量16Gbit
接口类型-
时钟频率(fc)50MHz
工作电压2.7V~3.6V
写周期时间(Tw)20ns
页写入时间(Tpp)20ns
属性参数值
块擦除时间(tBE)1.5ms
数据保留 - TDR(年)-
工作温度-40℃~+105℃
待机电流-
擦写寿命6万次
功能特性硬件复位功能;硬件写保护功能;读缓存功能;OTP区域写保护与锁定功能;软件复位功能;复制回写功能

商品特性

  • 符合开放NAND闪存接口规范
  • 采用单层单元技术
  • 页大小(x8):4320字节(4096 + 224字节)
  • 块大小:128页(512K + 28K字节)
  • 平面大小:每平面2个平面 x 2048个块
  • 支持高达同步时序模式5
  • 时钟速率:10纳秒(双倍数据速率)
  • 每引脚读写吞吐量:200兆次传输每秒
  • 支持高达异步时序模式5
  • 读取页面时间:35微秒(最大值)
  • 编程页面时间:350微秒(典型值)
  • 擦除块时间:1.5毫秒(典型值)
  • 工作电压范围:VCC:2.7 ~ 3.6伏;VCCQ:1.7 ~ 1.95伏,2.7 ~ 3.6伏
  • 支持高级命令集,包括编程缓存、读取缓存顺序、读取缓存随机、一次性可编程模式、多平面命令、多逻辑单元操作、读取标识符和复制回操作
  • 出厂时第一个块(块地址00h)有效
  • 上电后需首先执行复位命令
  • 操作状态字节提供检测操作完成、通过/失败条件和写保护状态的软件方法
  • 数据选通信号提供在同步接口中同步数据线的硬件方法
  • 支持在读取数据的平面内进行复制回操作
  • 数据保持符合JESD47标准
  • 耐久性:60,000次编程/擦除周期
  • 工作温度:商业级:0摄氏度至+70摄氏度;工业级:-40摄氏度至+85摄氏度
  • 封装:48引脚TSOP,100球BGA

数据手册PDF