MT29F16G08ABACAWP-AAT:C
16Gb、32Gb、64Gb异步/同步NAND闪存
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- 描述
- Micron 16Gb Asynchronous/Synchronous NAND Flash Memory 设备支持异步和同步接口,用于高性能 I/O 操作。该设备使用高度复用的 8 位总线 (DQx) 转发命令、地址和数据。有五个控制信号用于实现异步数据接口:CE#、CLE、ALE、WE# 和 RE#。同步接口包括数据同步参考 (DQS)。
- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT29F16G08ABACAWP-AAT:C
- 商品编号
- C20540670
- 商品封装
- 48-TSOP I
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 存储容量 | 16Gbit | |
| 接口类型 | - | |
| 时钟频率(fc) | 50MHz | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 写周期时间(Tw) | 20ns | |
| 页写入时间(Tpp) | 20ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 块擦除时间(tBE) | 1.5ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ | |
| 待机电流 | - | |
| 擦写寿命 | 6万次 | |
| 功能特性 | 硬件复位功能;硬件写保护功能;读缓存功能;OTP区域写保护与锁定功能;软件复位功能;复制回写功能 |
商品特性
- 符合开放NAND闪存接口规范
- 采用单层单元技术
- 页大小(x8):4320字节(4096 + 224字节)
- 块大小:128页(512K + 28K字节)
- 平面大小:每平面2个平面 x 2048个块
- 支持高达同步时序模式5
- 时钟速率:10纳秒(双倍数据速率)
- 每引脚读写吞吐量:200兆次传输每秒
- 支持高达异步时序模式5
- 读取页面时间:35微秒(最大值)
- 编程页面时间:350微秒(典型值)
- 擦除块时间:1.5毫秒(典型值)
- 工作电压范围:VCC:2.7 ~ 3.6伏;VCCQ:1.7 ~ 1.95伏,2.7 ~ 3.6伏
- 支持高级命令集,包括编程缓存、读取缓存顺序、读取缓存随机、一次性可编程模式、多平面命令、多逻辑单元操作、读取标识符和复制回操作
- 出厂时第一个块(块地址00h)有效
- 上电后需首先执行复位命令
- 操作状态字节提供检测操作完成、通过/失败条件和写保护状态的软件方法
- 数据选通信号提供在同步接口中同步数据线的硬件方法
- 支持在读取数据的平面内进行复制回操作
- 数据保持符合JESD47标准
- 耐久性:60,000次编程/擦除周期
- 工作温度:商业级:0摄氏度至+70摄氏度;工业级:-40摄氏度至+85摄氏度
- 封装:48引脚TSOP,100球BGA
- ACC05E22-20S-003-LC
- GTC08-32-9S-025-LC
- FCQ38999/20JB35PNMIL-STD-461
- FCQ38999/24ZE6BNMIL-STD-461
- PD-42R03-11
- FCQ38999/26ZG79SEMIL-STD-461
- ACC04A16-7SX-003-LC
- ACC05E24-2SW-025-LC
- GTC06R20-27PX-023-B30-LC
- FCQ38999/20TB5BEMIL-STD-461
- GTC030CF24-2SZ-025-B30-LC
- ACC02A16-7S-003-LC
- AS4C256M16D3-12BAN
- GTC030LCF20A16S-025-LC
- A/CP-R2SO-A06-C6
- BZX84C22W-TP
- BMA6033SQ
- FCQ38999/20G37BNMIL-STD-461
- FCQ38999/20WJ35PBMIL-STD-461
- FCQ38999/26GH21PNMIL-STD-461
- FCQ38999/26KH21PDMIL-STD-461

