立创商城logo
购物车0
MT29F8G08ADAFAWP-AIT:F引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MT29F8G08ADAFAWP-AIT:F

4Gb、8Gb,x8、x16汽车用NAND闪存

SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
品牌名称
micron(镁光)
商品型号
MT29F8G08ADAFAWP-AIT:F
商品编号
C20540840
商品封装
48-TSOP I​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录NAND FLASH
存储容量8Gbit
接口类型Parallel
时钟频率(fc)-
工作电压2.7V~3.6V
写周期时间(Tw)-
页写入时间(Tpp)220us
属性参数值
块擦除时间(tBE)700us
数据保留 - TDR(年)-
工作温度-40℃~+105℃
待机电流100uA
擦写寿命10万次
功能特性硬件复位功能;硬件写保护功能;读缓存功能;OTP区域写保护与锁定功能;ECC纠错功能;复制回写功能
ECC

商品特性

  • 符合开放NAND闪存接口(ONFI) 1.0标准
  • 单层单元(SLC)技术
  • 组织架构:页大小x8为2112字节(2048 + 64字节),页大小x16为1056字(1024 + 32字),块大小为64页(128K + 4K字节),平面大小为2个平面,每个平面2048块,设备大小:4Gb为4096块,8Gb为8192块
  • 异步I/O性能:tRC/tWC为20ns(3.3V)和25ns(1.8V)
  • 阵列性能:读页45μs(典型值),编程页220μs(典型值:3.3V,1.8V),擦除块700μs(典型值)
  • 命令集:ONFI NAND闪存协议,支持读取ID、块锁定(仅1.8V)和内部数据移动
  • 操作状态字节提供软件方法用于检测操作完成、通过/失败条件和写保护状态
  • WP#信号:写保护整个设备
  • Ready/Busy# (R/B#)信号提供硬件方法检测操作完成
  • 第一个块(块地址00h)在出厂时有效
  • 无需纠错;内部4位ECC启用
  • 上电后需首先发送RESET (FFh)命令
  • 上电后的设备初始化替代方法(Nand_Init)
  • 内部数据移动操作支持在读取数据的平面内进行
  • 质量和可靠性:数据保持10年,耐久性100,000次编程/擦除周期

数据手册PDF