MT29F8G08ADAFAWP-AIT:F
4Gb、8Gb,x8、x16汽车用NAND闪存
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT29F8G08ADAFAWP-AIT:F
- 商品编号
- C20540840
- 商品封装
- 48-TSOP I
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 存储容量 | 8Gbit | |
| 接口类型 | Parallel | |
| 时钟频率(fc) | - | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 写周期时间(Tw) | - | |
| 页写入时间(Tpp) | 220us |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 块擦除时间(tBE) | 700us | |
| 数据保留 - TDR(年) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ | |
| 待机电流 | 100uA | |
| 擦写寿命 | 10万次 | |
| 功能特性 | 硬件复位功能;硬件写保护功能;读缓存功能;OTP区域写保护与锁定功能;ECC纠错功能;复制回写功能 | |
| ECC | 有 |
商品特性
- 符合开放NAND闪存接口(ONFI) 1.0标准
- 单层单元(SLC)技术
- 组织架构:页大小x8为2112字节(2048 + 64字节),页大小x16为1056字(1024 + 32字),块大小为64页(128K + 4K字节),平面大小为2个平面,每个平面2048块,设备大小:4Gb为4096块,8Gb为8192块
- 异步I/O性能:tRC/tWC为20ns(3.3V)和25ns(1.8V)
- 阵列性能:读页45μs(典型值),编程页220μs(典型值:3.3V,1.8V),擦除块700μs(典型值)
- 命令集:ONFI NAND闪存协议,支持读取ID、块锁定(仅1.8V)和内部数据移动
- 操作状态字节提供软件方法用于检测操作完成、通过/失败条件和写保护状态
- WP#信号:写保护整个设备
- Ready/Busy# (R/B#)信号提供硬件方法检测操作完成
- 第一个块(块地址00h)在出厂时有效
- 无需纠错;内部4位ECC启用
- 上电后需首先发送RESET (FFh)命令
- 上电后的设备初始化替代方法(Nand_Init)
- 内部数据移动操作支持在读取数据的平面内进行
- 质量和可靠性:数据保持10年,耐久性100,000次编程/擦除周期
- FCQ38999/28-4KMIL-STD-461
- VE-JWW-IZ
- FCQ38999/26WJ61SBMIL-STD-461
- 241C17660X
- 1808JA250100FKTUYS
- GTC030CFZ24-28S-025-B30-LC
- FCQ38999/20KF32SCMIL-STD-461
- FCQ38999/24TE2PEMIL-STD-461
- TQM025NH04LCR RLG
- 1743059-1
- ACC04A24-16SZ-025-LC
- ACC01R24-16SZ-025-B30-LC
- 532903-8
- FCQ38999/20FJ90PCMIL-STD-461
- GTC06LCFZ24-5SZ-025-LC
- DRW16C
- FCQ38999/24JH53PDMIL-STD-461
- FCQ38999/25NE8PBMIL-STD-461
- FCQ38999/26TD4ANMIL-STD-461
- FCQ38999/26KB99PAMIL-STD-461
- FCQ38999/26TH6BAMIL-STD-461

