MT29F8G08ADAFAWP-AIT:F
4Gb、8Gb，x8、x16汽车用NAND闪存
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT29F8G08ADAFAWP-AIT:F
- 商品编号
- C20540840
- 商品封装
- 48-TSOP I
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 存储容量 | 8Gbit | |
| 接口类型 | Parallel | |
| 时钟频率(fc) | - | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 写周期时间(Tw) | - | |
| 页写入时间(Tpp) | 220us |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 块擦除时间(tBE) | 700us | |
| 数据保留 - TDR(年) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ | |
| 待机电流 | 100uA | |
| 擦写寿命 | 10万次 | |
| 功能特性 | 硬件复位功能；硬件写保护功能；读缓存功能；OTP区域写保护与锁定功能；ECC纠错功能；复制回写功能 |
商品特性
- 符合开放NAND闪存接口（ONFI）1.0标准
- 单级单元（SLC）技术
- 组织架构：
- x8页大小：2112字节（2048 + 64字节）
- x16页大小：1056字（1024 + 32字）
- 块大小：64页（128K + 4K字节）
- 平面大小：2个平面，每个平面2048个块
- 设备容量：4Gb为4096个块；8Gb为8192个块
- 异步I/O性能：
- tRC / tWC：20ns（3.3V），25ns（1.8V）
- 阵列性能：
- 读取页面：45μs（典型值）
- 编程页面：220μs（典型值：3.3V，1.8V）
- 擦除块：700μs（典型值）
- 命令集：ONFI NAND闪存协议
- 读取唯一ID
- 块锁定（仅1.8V）
- 内部数据移动
- 操作状态字节提供检测的软件方法：
- 操作完成
- 通过/失败条件
- 写保护状态
- WP#信号：对整个设备进行写保护
- Ready/Busy#（R/B#）信号提供检测操作完成的硬件方法
- 出厂时第一个块（块地址00h）有效
- 无需纠错；启用内部4位ECC（有关ECC详细信息，请参阅备用区域映射）
- 上电后第一个命令需要RESET（FFh）
- 上电后设备初始化的替代方法（Nand_Init）（联系工厂）
- 支持在读取数据的平面内进行内部数据移动操作
- 质量和可靠性：
- 数据保留：10年
- 耐久性：100,000次编程/擦除循环
- 选项：
- 密度：
- 4Gb标记为4G
- 8Gb标记为8G
- 总线宽度：
- 8位标记为08
- 16位标记为16
- 工作电压范围：
- VCC：2.7 - 3.6V
- VCC：1.7 - 1.95V
- 工作温度：
- -40°C至+85°C（AIT）
- -40°C至+105°C（AAT）
- 封装：
- 48引脚TSOP类型1，CPL²
- 63球VFBGA（9.0 x 11.0 x 1.0mm）
- 63球VFBGA（10.5 x 13.0 x 1.0mm）
- 密度：