MT29F2G16ABAGAWP-AAT:G
2Gb x8,x16汽车用NAND闪存
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT29F2G16ABAGAWP-AAT:G
- 商品编号
- C20541697
- 商品封装
- 48-TSOP I
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 存储容量 | 2Gbit | |
| 接口类型 | Parallel | |
| 时钟频率(fc) | - | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 写周期时间(Tw) | 20ns | |
| 页写入时间(Tpp) | 220us |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 块擦除时间(tBE) | 2ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ | |
| 待机电流 | 100uA | |
| 擦写寿命 | 10万次 | |
| 功能特性 | 硬件复位功能;硬件写保护功能;读缓存功能;OTP区域写保护与锁定功能;ECC纠错功能;复制回写功能 |
商品特性
- 符合开放NAND闪存接口1.0规范
- 单层单元技术
- 组织架构
- 页大小x8:2176字节(2048 + 128字节)
- 页大小x16:1088字(1024 + 64字)
- 块大小:64页(128K + 8K字节)
- 平面大小:2个平面,每个平面1024个块
- 器件大小:2Gb:2048个块
- 异步输入输出性能
- 读取周期时间/写入周期时间:20纳秒/20纳秒(3.3V)
- 阵列性能
- 读取页:70微秒
- 编程页:220微秒(典型值,3.3V)
- 擦除块:2毫秒(典型值)
- 命令集:开放NAND闪存接口NAND闪存协议
- 高级命令集
- 编程页缓存模式
- 读取页缓存模式
- 永久块锁定(块47:0)
- 一次性可编程模式
- 块锁定
- 可编程驱动强度
- 读取标识符
- 内部数据搬移
- 操作状态字节提供检测操作完成、通过/失败条件、写保护状态的软件方法
- 就绪/忙信号提供检测操作完成的硬件方法
- 写保护信号:写保护整个器件
- 纠错码:8位内部纠错码默认禁用,可使用设置特性命令切换
- 出厂时块7–0在启用纠错码状态下有效
- 上电后需要复位作为第一条命令
- 支持在读取数据的平面内进行内部数据搬移操作
- 质量和可靠性
- 耐久性:100,000次编程/擦除周期
- 数据保持:符合JESD47G标准
- 附加:未循环数据保持:10年,在85℃下持续运行
- 符合AEC-Q100标准
- MT29F2G08AABWP-ET
- ACC06AF32-15SZ-003-B30-LC
- HW1L-A1F11QD-G-12V
- FCQ38999/20WF28SCMIL-STD-461
- GTCL06A28-6SZ-025-RDS-LC
- FCQ38999/26LF11PBMIL-STD-461
- FCQ38999/24Z37PBMIL-STD-461
- GTC02R20-18PX-LC
- GTC06R20A37P-023-B30-LC
- FCQ38999/23NB35CNMIL-STD-461
- FCQ38999/24SJ46SNMIL-STD-461
- GTC01G28-3PW-B30-LC
- 8-1879744-4
- GTC030LCFZ24-60P-025-LC
- 6-1879128-5
- GTC06-14S-7P-023-LC
- DD44M4R7NT0
- FCQ38999/27YD19PAMIL-STD-461
- FCQ38999/21YG16PCMIL-STD-461
- SNMPO142208HB8KS00
- FCQ38999/23YG39PDMIL-STD-461

