- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MT29F4G08ABBFAH4-AIT:F
4Gb x8 NAND闪存
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT29F4G08ABBFAH4-AIT:F
- 商品编号
- C20543858
- 商品封装
- 63-VFBGA (9x11)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 存储容量 | 4Gbit | |
| 接口类型 | Parallel | |
| 时钟频率(fc) | - | |
| 工作电压 | 1.7V~1.95V | |
| 写周期时间(Tw) | - | |
| 页写入时间(Tpp) | 240us |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 块擦除时间(tBE) | 2ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | 10年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 待机电流 | 100uA | |
| 擦写寿命 | 10万次 | |
| 功能特性 | 硬件复位功能；硬件写保护功能；读缓存功能；OTP区域写保护与锁定功能；ECC纠错功能；复制回写功能 |
商品特性
- 符合开放NAND闪存接口1.0标准
- 采用单层单元技术
- 组织结构：页大小为4352字节，块大小为64页，平面数为1，设备容量为4Gb
- 异步输入/输出性能：读取/写入周期为30纳秒
- 阵列性能：启用片上纠错码时读取页最长时间为115微秒，禁用时为25微秒；禁用片上纠错码时编程页典型时间为200微秒，启用时为240微秒；擦除块典型时间为2毫秒
- 支持高级指令集，包括页编程缓存模式、页读取缓存模式、永久块锁定、一次性可编程模式、块锁定、可编程驱动强度、读取标识符和内部数据移动
- 操作状态字节提供检测操作完成、通过/失败条件和写保护状态的软件方法
- 就绪/繁忙信号提供检测操作完成的硬件方法
- 写保护信号可保护整个设备
- 默认禁用8位内部纠错码，可通过设置特性指令启用
- 出厂时块7至0带有纠错码
- 上电后需执行复位指令作为第一条指令
- 支持在读取数据的平面内进行内部数据移动操作
- 耐久性：10万次编程/擦除周期
- 数据保持能力符合JESD47G标准；未循环数据保持时间为10年
- 工作电压范围：核心电压1.7至1.95伏
- 工作温度范围：工业级零下40摄氏度至零上85摄氏度
- 封装：63球VFBGA
- C3M0040120K-MVF
- FCQ38999/24LD15SAMIL-STD-461
- FCQ38999/26KF32PDMIL-STD-461
- FCQ38999/20MG16PAMIL-STD-461
- BK/1A5018-07-R
- FCQ38999/23NJ20PAMIL-STD-461
- FCQ38999/26JJ29PBMIL-STD-461
- MKS2D032201C00JO00
- ACC03A32-6P-003-LC
- A/CP-RSO-A01-B9
- GTC06RV20-57P-LC
- ECE-V1JA220UP
- FCQ38999/24WJ24SCMIL-STD-461
- FCQ38999/20TE35SEMIL-STD-461
- GTC08CF32-68PX-B30-LC
- FM450K0000S115
- 1-1926739-8
- 1616145-4
- FCQ38999/21ND18PEMIL-STD-461
- FKP1J026806B00KSC9
- 6134-393-1190