MT41K1G8TRF-125 IT:E TR

8Gb X4/X8 双芯片 DDR3L SDRAM

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品牌名称: micron(镁光)
商品型号: MT41K1G8TRF-125 IT:E TR
商品编号: C20514481
商品封装: 78-FBGA (9.5x11.5)
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	工作电流	56mA
	刷新电流	40mA
	工作温度	-40℃~+95℃
	功能特性	自动自刷新；自动预充电功能；异步复位功能；动态片上端接；数据掩码功能

商品概述

8Gb（TwinDie™）DDR3L SDRAM（1.35V）采用美光的4Gb DDR3L SDRAM芯片（本质上是两个4Gb DDR3L SDRAM芯片组）。未包含在本文档中的规格，请参考美光的4Gb DDR3 SDRAM数据手册。基础部件编号MT41K1G4的规格与TwinDie制造部件编号MT41K2G4相关；基础部件编号MT41K512M8的规格与TwinDie制造部件编号MT41K1G8相关。TwinDie DDR3L SDRAM是一种高速CMOS动态随机存取存储设备，内部配置为两个8存储体DDR3L SDRAM设备。尽管双芯片封装内的每个芯片都单独进行测试，但一些TwinDie测试结果可能与单片封装内相同芯片的测试结果有所不同。DDR3L SDRAM采用双倍数据速率架构以实现高速运行。双倍数据速率架构是一种8n预取架构，其接口设计为在I/O引脚每个时钟周期传输两个数据字。对DDR3L SDRAM的读写访问是面向突发的。访问从选定位置开始，并按编程顺序持续到编程数量的位置。访问从激活命令的注册开始，随后是读或写命令。与激活命令同时注册的地址位用于选择要访问的存储体和行。与读或写命令同时注册的地址位（包括CSn#、BAn和An）用于选择突发访问的芯片组、存储体和起始列位置。本数据手册提供了一般描述、封装尺寸和封装说明。有关单个芯片初始化、寄存器定义、命令描述和芯片操作的完整信息，请参考美光单片DDR3L数据手册。

商品特性

使用4Gb美光芯片
两个芯片组（包括双CS#、ODT、CKE和ZQ引脚）
每个芯片组有八个内部存储体，可并发操作
VDD = VDDQ = 1.35V（1.283 - 1.45V）；向后兼容VDD = VDDO = 1.5V ± 0.075V
1.35V中心端接推挽式I/O
JEDEC标准引脚布局
薄型封装
TC为0°C至95°C
0°C至85°C：64ms内8192次刷新周期
85°C至95°C：32ms内8192次刷新周期
提供工业温度（IT）版本（版本E）
时序 - 周期时间：1.071ns @ CL = 13（DDR3L - 1866） - 107；1.25ns @ CL = 11（DDR3L - 1600） - 125；1.5ns @ CL = 9（DDR3L - 1333） - 15E；1.87ns @ CL = 7（DDR3L - 1066） - 187E
自刷新
标准：无
工作温度：商业级（0°C ≤ TC ≤ 95°C）无；工业级（-40°C ≤ TC ≤ 95°C）版本E IT

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	DDR SDRAM
	存储器构架(格式)	DDR3L SDRAM
	时钟频率(fc)	800MHz
	存储容量	8Gbit
	工作电压	1.283V~1.45V