MT53E1G64D4NZ-046 WT:C
LPDDR4X/LPDDR4 SDRAM
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT53E1G64D4NZ-046 WT:C
- 商品编号
- C20518752
- 商品封装
- 376-WFBGA (14x14)
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | LPDDR4X SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 2.133GHz | |
| 存储容量 | 64Gbit | |
| 工作电压 | 1.06V~1.17V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | - | |
| 刷新电流 | - | |
| 工作温度 | -25℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能；内置温度传感器；自动预充电功能；ZQ校准功能 |
商品特性
- 本数据手册适用于基于LPDDR4X信息的LPDDR4X和LPDDR4统一产品。关于LPDDR4设置，请参考本数据手册末尾的通用LPDDR4规范。
- 超低电压核心和I/O电源
- V_DD1 = 1.70 - 1.95V；标称1.80V
- V_DD2 = 1.06 - 1.17V；标称1.10V
- V_DDQ = 0.57 - 0.65V；标称0.60V 或 V_DDQ = 1.06 - 1.17V；标称1.10V
- 频率范围
- 2133 - 10MHz（每引脚数据速率范围：4266 - 20Mb/s）
- 16n预取DDR架构
- 每个通道8个内部存储体，可并发操作
- 单数据速率CMD/ADR输入
- 每个字节通道双向/差分数据选通
- 可编程读取和写入延迟（RL/WL）
- 可编程且动态突发长度（BL = 16, 32）
- 每个存储体定向刷新，便于并发存储体操作和命令调度
- 每个管芯x16通道最高8.5GB/s
- 片上温度传感器，用于控制自刷新速率
- 部分阵列自刷新（PASR）
- 可选输出驱动强度（DS）
- 时钟停止功能
- 符合RoHS标准的“绿色”封装
- 可编程V_SS（ODT）终端
- 支持单端CK和DQS