MT46H8M16LFCF-10 TR

128Mb 8Meg X 16 移动型 DDR SDRAM

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描述: 128Mb 8M x 16 移动 DDR SDRAM 是一款高速 CMOS 动态随机存取存储器，内部配置为四bank DRAM。每个 33,554,432 位的bank组织为 4,096 行 x 512 列 x 16 位。该存储器采用双数据速率架构实现高速操作，每个时钟周期在 I/O 引脚传输两个数据字。支持可编程读写突发长度，自刷新模式，部分阵列自刷新，以及可编程输出驱动强度。适用于小型系统，具有低功耗特性。
品牌名称: micron(镁光)
商品型号: MT46H8M16LFCF-10 TR
商品编号: C20522976
商品封装: VFBGA-60(8x10)
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	工作电流	-
	刷新电流	-
	工作温度	0℃~+70℃
	功能特性	自动自刷新；内置温度传感器；自动预充电功能；数据掩码功能

商品概述

128Mb Mobile DDR SDRAM 是一种高速CMOS动态随机存取存储器，包含134,271,728位。它内部配置为四库DRAM。每个33,554,432位库组织为4,096行×512列×16位。128Mb Mobile DDR SDRAM 使用双数据率架构实现高速操作。双数据率架构本质上是一种2n预取架构，其接口设计用于在I/O焊球每个时钟周期传输两个数据字。对于128Mb DDR SDRAM，单个读取或写入访问实际上包括在内部DRAM核心进行一次2n位宽、一个时钟周期的数据传输，以及在I/O焊球进行两次相应的n位宽、半时钟周期的数据传输。双向数据选通（DQS）在外部传输。

商品特性

VDD/VDDQ = +1.8V ± 0.1V
每个数据字节的双向数据选通（DQS）
内部流水线双数据率（DDR）架构；每个时钟周期两次数据访问
差分时钟输入（CK和CK#）
命令在每个正CK边沿输入
DQS与读取数据边沿对齐；与写入数据中心对齐
四个内部库用于并发操作
数据掩码（DM）用于屏蔽写入数据—每个字节一个掩码
可编程突发长度：2、4或8
支持并发自动预充电选项
自动刷新和自刷新模式
1.8V LVCMOS兼容输入
片上温度传感器以控制刷新率
部分阵列自刷新（PASR）
可选输出驱动（DS）
时钟停止能力

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	DDR SDRAM
	存储器构架(格式)	-
	时钟频率(fc)	104MHz
	存储容量	128Mbit
	工作电压	1.7V~1.9V