- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MT46H32M32LFCM-6 L IT:A TR
1Gb:x16,x32 移动型 LPDDR SDRAM
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT46H32M32LFCM-6 L IT:A TR
- 商品编号
- C20519368
- 商品封装
- 90-VFBGA (10x13)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | LPDDR SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 166MHz | |
| 存储容量 | 1Gbit | |
| 工作电压 | 1.7V~1.95V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | - | |
| 刷新电流 | - | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 自动自刷新；内置温度传感器；自动预充电功能；数据掩码功能 |
商品特性
- VDD / VDDQ = 1.70 - 1.95V
- 每个数据字节都有双向数据选通（DQS）
- 内部流水线式双倍数据速率（DDR）架构；每个时钟周期进行两次数据访问
- 差分时钟输入（CK和CK#）
- 在每个CK正沿输入命令
- 读操作时DQS与数据边缘对齐；写操作时DQS与数据中心对齐
- 4个内部存储体用于并发操作
- 数据掩码（DM）用于屏蔽写入数据 — 每字节一个掩码
- 可编程突发长度（BL）：2、4、8或16
- 支持并发自动预充电选项
- 自动刷新和自刷新模式
- 1.8V LVCMOS兼容输入
- 片上温度传感器用于控制自刷新速率
- 部分阵列自刷新（PASR）
- 深度掉电（DPD）
- 状态读取寄存器（SRR）
- 可选输出驱动强度（DS）
- 时钟停止功能
- 64ms刷新
- RLC73PD3AR294FTDG
- MT48H16M32LFCM-75:A
- RLC73PD3AR619FTDG
- RLC73V3AR013FTDF
- CF25-123JTR
- RLC73K3AR487FTDF
- FCQ38999/24ME35SDMIL-STD-461
- IDT71024S20YI8
- RLC73M3AR03FTDF
- RLC73N3AR075FTDF
- FCQ38999/24GD97PCMIL-STD-461
- RLC73V3AR018FTDG
- FCQ38999/20ZF11SBMIL-STD-461
- RLC73PD3AR698FTDG
- FCQ38999/20WB5BEMIL-STD-461
- FCQ38999/20LG11PEMIL-STD-461
- GTC08R32A30S-LC
- FCQ38999/20LE8AAMIL-STD-461
- RLC73PD3AR887FTDF
- FCQ38999/26KE35PCMIL-STD-461
- RLC73K3AR221FTDF